技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜中国ＧＳＭＣに　米ＳＳＴや沖電気が技術供与　生産能力を優先的に確保
日経マイクロデバイス　第191号　2001.5.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第191号（2001.5.1）
ページ数	1ページ　（全365字）
形式	PDFファイル形式　（26kb）
雑誌掲載位置	31ページ目

Ｓｉファウンドリ中国メモリーＬＳＩ　米Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｓｔｏｒａｇｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，　Ｉｎｃ．（ＳＳＴ）と沖電気工業がそれぞれ，Ｓｉファウンドリの中国Ｇｒａｃｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　Ｃｏｒｐ．（ＧＳＭＣ）に技術供与する。ＳＳＴは０．２５〜０．１８μｍロジック・プロセス技術と，スプリット・ゲート構造のＮＯＲ型フラッシュ・メモリー技術「ＳｕｐｅｒＦｌａｓｈ」…