μレポート［ＬＳＩ製造］〜変わり始めた 次世代露光シナリオ ＥＵＶが急接近
日経マイクロデバイス 第190号 2001.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第190号（2001.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全2604字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （54kb） |
| 雑誌掲載位置 | 148〜150ページ目 |
露光戦略ＥＵＶ次世代露光技術のシナリオが大きく変わり始めた。これまでのシナリオはＦ２エキシマ・レーザー露光技術の次に電子ビーム（ＥＢ）投影露光技術，その先にＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ，または縮小Ｘ線）露光技術があるという内容だった。ところが，ＥＢ投影露光技術の代表格といえる「ＳＣＡＬＰＥＬ（ＳＣａｔｔｅｒｉｎｇ ｗｉｔｈ Ａｎｇｕｌａｒ Ｌｉｍｉｔａｔｉｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏ…
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