技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜０．０５μｍ対応の　ＥＵＶ向けマスクを　米Ｉｎｔｅｌが開発
日経マイクロデバイス　第190号　2001.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第190号（2001.4.1）
ページ数	1ページ　（全501字）
形式	PDFファイル形式　（24kb）
雑誌掲載位置	29ページ目

露光技術マスク微細化　０．０５μｍプロセスへの適用を目指し，従来に比べて３０％微細化したＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ，または縮小Ｘ線）露光技術向けマスクを米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．が開発した。ＥＵＶ露光を実用化する上で，高品質なマスクを開発することが最も大きな課題になっている。ＫｒＦエキシマ・レーザーなどの光露光技術では，光を透過させる透過型マスクを採用している。これに対し，ＥＵＶ…