技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜多孔質版の　「ＳｉＬＫ」が登場　比誘電率２を達成
日経マイクロデバイス　第190号　2001.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第190号（2001.4.1）
ページ数	1ページ　（全475字）
形式	PDFファイル形式　（24kb）
雑誌掲載位置	29ページ目

部品・材料低誘電率化層間絶縁膜　比誘電率を従来の約２．６５から２に下げた低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜を，米Ｔｈｅ　Ｄｏｗ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ．が開発した。同社のｌｏｗ−ｋ膜「ＳｉＬＫ」を多孔質にすることにより，設計ルール０．１μｍに対応できるようにしている。多孔質構造を採用して材料の密度を下げることは，「比誘電率を２．５以下にするために必須」（同社）だった。しかし，空孔率を高めるために多孔…