技術レター［ＬＣＤ（ディスプレイ）］〜低温多結晶Ｓｉ向け アニール装置の新提案や 大型基板対応が進む
日経マイクロデバイス 第186号 2000.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第186号（2000.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全209字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （25kb） |
| 雑誌掲載位置 | 140ページ目 |
製造装置低温多結晶ＳｉＴＦＴ 低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ液晶パネルの結晶化の工程に使うアニール装置で，新プロセスの提案や大型基板対応が進んでいる。既存のレーザー・アニール装置に代わる高圧アニール装置を提案するのが石川島播磨重工業である。結晶の均一性を高めることができるとする。レーザー・アニール装置の大型基板対応を進めているのは日本製鋼所である。２００１年をメドに７００×９００ｍｍ２級基板に対応させる計…
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