解説［ＬＳＩ製造］〜低誘電率膜を導入する米Ｉｎｔｅｌ 候補材料を三つに絞り込む
日経マイクロデバイス 第182号 2000.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第182号（2000.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1063字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （203kb） |
| 雑誌掲載位置 | 174ページ目 |
米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．Ｐｏｒｔｌａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＤｉｒｅｃｔｏｒ ｏｆ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ ＆ ＩｎｔｅｇｒａｔｉｏｎＩｎｔｅｌ ＦｅｌｌｏｗＭａｒｋ Ｔ． Ｂｏｈｒ氏０．１３μｍからＣｕ配線を使う米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．が，低誘電率膜の導入に動き始めた。すでに候補材料を三つに絞り込んだ。投資金額で世界トップの同社の動きは，関連する製造装…
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