解説［ＬＳＩ製造］〜プロセス構築に向けて　低誘電率材料を絞り込む
日経マイクロデバイス　第182号　2000.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第182号（2000.8.1）
ページ数	10ページ　（全8996字）
形式	PDFファイル形式　（203kb）
雑誌掲載位置	171〜180ページ目

多層配線低誘電率膜高速化ＬＳＩの誕生以来，ほとんど変わることがなかった配線の絶縁材料がここへ来て一気に変わろうとしている。世界中のＬＳＩメーカーが配線の層間絶縁材料を従来のＳｉＯ２から比誘電率の低い有機ポリマーなどの異種材料に切り替える。配線遅延を抑制し，チップの高速・低消費電力化を進めることが目的だ。低誘電率材料の必要性は過去から指摘されてきたが，候補材料が１００種類以上と多く，ＬＳＩ各社の選択…