技術レター［ＬＳＩ設計］〜「ＶＬＳＩシンポジウム」 多値の伝送技術や フラッシュの高速化に進展
日経マイクロデバイス 第182号 2000.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第182号（2000.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全677字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （24kb） |
| 雑誌掲載位置 | 51ページ目 |
学会ＬＳＩ設計ＤＲＡＭ ＤＲＡＭの多値インタフェースとフラッシュ・メモリーの高速化技術が，この６月に米国で開かれた「２０００ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」のメモリー関連で注目を集めた（「ＶＬＳＩシンポジウム」におけるロジックＬＳＩ関連技術は本号，ｐｐ．１３０−１３７を参照）。 ＤＲＡＭでは，多値レベルの高速インタフェース技術が登場した。これまで，パケット型インタフェースで…
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