ブレークスルー〜比誘電率１．１の絶縁膜を開発
日経マイクロデバイス 第182号 2000.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第182号（2000.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1527字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （28kb） |
| 雑誌掲載位置 | 3ページ目 |
比誘電率が１．１と極めて低い層間絶縁膜が世界の注目を集めている。原理的に最も低い比誘電率は真空の１だが，それに近い空孔率９５％の膜を実現した。開発者は３１歳。今回の成果を究極の多層配線技術に発展させたいと語る。川上 信之 氏神戸製鋼所 技術開発本部電子技術研究所 電子応用研究室 比誘電率１．１の低誘電率膜技術が世界の注目を集めている。比誘電率が原理的に最も低い１に極めて近いことが理由の一つだが，そ…
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