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日経マイクロデバイス　第181号　2000.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第181号（2000.7.1）
ページ数	5ページ　（全4865字）
形式	PDFファイル形式　（87kb）
雑誌掲載位置	214〜218ページ目

ＬＳＩ製造低誘電率膜向けに塗布量を１／１０へ削減■塗布装置「ＭｉｃｒｏＥシリーズ」　従来のスピン方式に比べて材料の使用量を１／１０に削減できる塗布装置（図１，図２）。　０．１８μｍ以降では，配線遅延を削減するため，低誘電率の層間絶縁膜の採用が必須になっている。この形成方法として，塗布技術とＣＶＤ技術の二つが候補に挙がっている。ＬＳＩメーカーの多くは塗布技術に利点が多いと考えている。成膜時にトランジ…