ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜「ＩＳＳＣＣ ２０００」のメモリー ＤＲＡＭと強誘電体メモリー の混載技術に注目
日経マイクロデバイス 第177号 2000.3.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第177号（2000.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1011字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （37kb） |
| 雑誌掲載位置 | 149ページ目 |
ＤＲＡＭ強誘電体 メモリー学会 ＤＲＡＭと強誘電体メモリーの混載技術で着実な進歩があったことが，２０００年２月７日〜９日に米国で開かれた「２０００ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ ２０００）」のメモリー関連の特徴だった（ロジック関連は本号，ｐ．１５１を，発表の詳細や他のセッションの情報はホームページ「ｈｔｔｐ：／／ｃｙ…
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