Ｄｅｖｉｃｅ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ〜見えてきた０．１３μｍ以降の トランジスタ技術ロードマップ
日経マイクロデバイス 第176号 2000.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第176号（2000.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 14ページ （全14198字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （278kb） |
| 雑誌掲載位置 | 93〜106ページ目 |
ＬＳＩデバイスＬＳＩプロセストランジスタ高誘電率膜０．１３μｍ以降のトランジスタ技術のロードマップが見えてきた。まず０．１３μｍは，ＳｉＯ２ゲート絶縁膜の薄膜化が大きく進歩した結果，従来技術を延命することになった。これに続く０．１μｍと０．０７μｍは，高誘電率ゲート絶縁膜とメタル・ゲート電極で対処する。さらに０．０５μｍ以降での実用化をにらんだ新構造のトランジスタの提案が活発化している。このような…
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