ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜「セミコン・ジャパン ９９」 ０．１３μｍ以降に対応した 装置や新技術が相次ぐ
日経マイクロデバイス 第175号 2000.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第175号（2000.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1473字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （43kb） |
| 雑誌掲載位置 | 159ページ目 |
トランジスタ多層配線展示会 ０．１３μｍ以降のトランジスタや多層配線に関連した製造装置や新技術が１２月１日〜３日に開かれた「セミコン・ジャパン ９９」に相次いだ。 トランジスタについては，０．１３μｍ対応の各種製造装置と高誘電率ゲート絶縁膜への対応が注目を集めた。０．１３μｍ関連では，微細化の根幹である露光装置をニコン，オランダＡＳＭ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ（ＡＳＭＬ）社，キヤノンの大手３社がそろ…
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