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日経マイクロデバイス　第170号　1999.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第170号（1999.8.1）
ページ数	3ページ　（全5496字）
形式	PDFファイル形式　（107kb）
雑誌掲載位置	216〜218ページ目

Ｅ２ＰＲＯＭを集積したフラッシュ・メモリー■フラッシュ・メモリー「ＬＥ２８ＢＵ１６６」（１）１６Ｍビットのフラッシュ・メモリーと６４ＫビットのＥ２ＰＲＯＭをワン・チップに集積した。３バンク構成のため，データの格納，読み出しが同時に行える。電源電圧は２．２Ｖ〜２．８Ｖ。（大石）（２）１９９９年７月（サンプル出荷）（３）２０００円（サンプル価格）（４）三洋電機（５）同　セミコンダクターカンパニーＭＯＳ…