Ｄｅｔａｉｌｓ　ＬＳＩ（ロジック）〜低誘電率層間絶縁膜を　既存技術で導入できる　Ｃｕ配線プロセスが登場
日経マイクロデバイス　第169号　1999.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第169号（1999.7.1）
ページ数	2ページ　（全2297字）
形式	PDFファイル形式　（40kb）
雑誌掲載位置	139〜140ページ目

配線技術低誘電率層間絶縁膜Ｃｕ配線既存の技術で低誘電率層間絶縁膜を導入できるＣｕ配線プロセスを東芝が開発した。低誘電率材料は０．１３μｍルールから必須になるが，従来のＳｉＯ２に比べて加工性が異なるために導入が難しく，各社が対策を模索している。例えばＮＥＣは従来プロセスの改良版を提案している（本号，ｐｐ．５２−５７）。東芝が開発したプロセスは，ビア・ホールにＡｌの柱（ピラー）を使って低誘電率膜への加…