ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ　ＬＳＩ（ロジック）〜低誘電率層間絶縁膜と　Ｃｕ向けキャップ層に関し　ＡＭＡＴが新技術を開発中
日経マイクロデバイス　第167号　1999.5.1

　米Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　Ｉｎｃ．（ＡＭＡＴ）は，低誘電率層間絶縁膜とＣｕ向けキャップ層に関する技術を現在開発していることを明らかにした。低誘電率層間絶縁膜に関しては，すでに発表済みの低誘電率膜向け材料「ＢＤ２７」を使い，現状の比誘電率である２．７をさらに下げる計画である。この膜はＣＶＤで成膜でき，体積比率で３０％のボイドを含むポーラス構造である。ボイドの体積比率を上げると，製造装…