Ｄｅｔａｉｌｓ ＬＳＩ（ロジック）〜トランジスタ製造革命 置き換えゲートで 薄膜化限界を打破
日経マイクロデバイス 第164号 1999.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第164号（1999.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全4321字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （89kb） |
| 雑誌掲載位置 | 141〜144ページ目 |
トランジスタ新材料学会トランジスタの製造で３０年ぶりの革命を起こすプロセスが登場した。ソースとドレインの形成後に，ゲート絶縁膜とゲート電極を自己整合的に作り込むプロセスである。これによって，薄膜化限界を打破できる新しい材料，すなわち高誘電率ゲート絶縁膜とメタル・ゲートを使えるようになる。こうした動きが１９９８年１２月に米国で開かれた「１９９８ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ…
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