ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜室温，非酸素雰囲気中で 酸化膜を形成できる技術を 松下技研が開発
日経マイクロデバイス 第163号 1999.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第163号（1999.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全458字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （42kb） |
| 雑誌掲載位置 | 161ページ目 |
室温，非酸素雰囲気中でＩｎＯ２といった酸化膜を形成できる技術を松下技研が開発した。Ｓｉ微粒子を使った発光素子向けに開発したが，この技術を強誘電体メモリー混載ロジックＬＳＩやプラスチック液晶ディスプレイの製造に応用できる可能性がある。強誘電体メモリー混載ロジックＬＳＩでは，あらかじめ形成したトランジスタの性能を劣化させないように強誘電体メモリーの電極材料や強電体材料を成膜する必要がある。プラスチッ…
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