ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜「ＩＥＤＭ」のロジック関連は ゲート絶縁膜の薄膜化や Ｃｕ配線の評価結果に注目
日経マイクロデバイス 第163号 1999.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第163号（1999.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1650字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （42kb） |
| 雑誌掲載位置 | 160ページ目 |
トランジスタのゲート絶縁膜の薄膜化，Ｃｕ配線の評価結果が１９９８年１２月６日〜９日に開かれた「１９９８ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）」に登場した。今年の特徴は，システムＬＳＩを意識した発表が多かった点である（メモリー関連は本号，ｐ．１５９を，発表の詳細と他のセッションの情報はホームページ「ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｎｉｋｋｅｉｂｐ…
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