ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜「ＩＥＤＭ」のメモリー関連は 単体・混載兼用フラッシュや ギガ・ビットＤＲＡＭが登場
日経マイクロデバイス 第163号 1999.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第163号（1999.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1023字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 159ページ目 |
単体と混載に兼用できるフラッシュ・メモリー，ギガ・ビットＤＲＡＭ，０．５〜０．２５μｍ強誘電体メモリーが１９９８年１２月６日〜９日に開かれた「１９９８ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）」に登場した。今年の特徴は，既存の材料や技術をうまく組み合わせた発表が目立った点である（ロジック関連は本号，ｐ．１６０を，発表の詳細と他のセッション…
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