ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜メモリー分野に関し ０．１３μｍ技術の共同開発で 東芝と富士通が提携
日経マイクロデバイス 第163号 1999.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第163号（1999.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全921字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 158ページ目 |
国内ＬＳＩメーカーの合従連衡が始まった。先陣を切って，東芝と富士通は，メモリー分野で包括的に提携することで合意した。１９９８年１２月に共同で会見を開き，「０．１３μｍルールのＤＲＡＭ技術を共同で開発する。今回の契約に基づき，両社は東芝の磯子にある研究拠点で１Ｇビット世代の製品設計・試作を共同で行う。両社からピークで１００人が結集し，３００億円以上を投じる」と発表した。この提携により，まず２００１…
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