詳報 オン抵抗の世界最小記録を〜オン抵抗の世界最少記録を続々更新 次世代SiCパワー素子の開発が進む
日経ものづくり 第608号 2005.5.1
掲載誌 | 日経ものづくり 第608号(2005.5.1) |
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ページ数 | 2ページ (全2049字) |
形式 | PDFファイル形式 (143kb) |
雑誌掲載位置 | 28〜29ページ目 |
SiC(炭化ケイ素)パワー素子が,オン抵抗の世界記録を相次いで更新した。2004年12月に12.9mΩcm2の三菱電機,7.15mΩcm2のロームと発表が相次いだ。2005年に入って3月3日,産業技術総合研究所が4.3mΩcm2を達成した。その直後,28日には産総研が1.01mΩcm2の成果を発表し,自らの記録を抜いた。4カ月足らずの間に1ケタ下がったことになる(図1)。 パワー素子のオン抵抗は…
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