Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜三菱電機がＳｉＣやＩＧＢＴで新技術 パワー半導体事業を強化
日経エレクトロニクス 第1267号 2024.9.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1267号（2024.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全3276字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1191kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜16ページ目 |
三菱電機がパワー半導体の技術開発を加速させている。自動車や鉄道向けに炭化ケイ素（ＳｉＣ）を利用した新しいモジュール製品を、産業向けに新しい世代のシリコン（Ｓｉ）ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を開発した。パワー半導体の基盤技術として高精度な寿命予測技術の研究にも取り組む。新技術を次々と投入することでパワー半導体事業の強化を図る。２０２４年６月にドイツ・ニュルンベルクで開催した「ＰＣＩ…
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