Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜高速ＤＲＡＭ「ＨＢＭ３Ｅ」で火花 マイクロンが韓国２社を猛追
日経エレクトロニクス 第1263号 2024.5.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1263号（2024.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2135字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （522kb） |
| 雑誌掲載位置 | 24〜25ページ目 |
生成ＡＩ（人工知能）の台頭で需要が急増している高速ＤＲＡＭ「ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）」をめぐり、米Ｍｉｃｒｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（マイクロンテクノロジー）が先行する韓国ＳＫ ｈｙｎｉｘ（ＳＫハイニックス）と韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（サムスン電子）を猛追している。ＨＢＭの次世代品「ＨＢＭ３Ｅ（３ｅ）」型の量産を始めたと２０２４年２月２６日（米国時間）…
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