Ｈｏｔ　Ｎｅｗｓ〜ＧａＮ結晶塊からウエハー剥離　ディスコが新技術、レーザーで速く無駄なく
日経エレクトロニクス　第1255号　2023.9.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1255号（2023.9.1）
ページ数	1ページ　（全1045字）
形式	PDFファイル形式　（269kb）
雑誌掲載位置	19ページ目

精密加工装置メーカーのディスコが、パワー半導体材料である窒化ガリウム（ＧａＮ）のインゴット（単結晶の塊）からウエハーを切り出す工程の生産性を改善した新プロセスを開発した（図１）。２０２３年７月３日に発表した。新プロセスを使うと、２インチ（約５センチメートル）径のインゴットの場合、ウエハーの取れ高が３８％高まり、１時間当たりの生産枚数が従来比で６倍改善するという。現在は、試作機段階であり量産化に向け…