Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ　特集１　昇日のポストＳｉＣ〜離陸開始のＧａＮで早くも次世代研究活況　高耐圧・高周波に複数軸で挑む
日経エレクトロニクス　第1248号　2023.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1248号（2023.2.1）
ページ数	6ページ　（全6580字）
形式	PDFファイル形式　（1174kb）
雑誌掲載位置	57〜62ページ目

第３部：ポスト横型ＧａＮパワーデバイスとしては特異な横構造を採る窒化ガリウム（ＧａＮ）。材料として類まれな特性の良さからアルミニウムとの混晶や縦型化といった幅広いデバイスの研究が活発だ。「高耐圧はＳｉＣ、低耐圧はＧａＮ」というすみ分けはもはや通用しなくなりそうだ。車載や再生可能エネルギーといった高耐圧のアプリケーション、さらには第６世代移動通信システム（６Ｇ）を見据えた高出力の高周波デバイスが本命…