Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ ＭＲＡＭが拓く異次元コンピューター〜電子からスピンが“独立” ＭＲＡＭを１００倍省エネに
日経エレクトロニクス 第1216号 2020.6.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1216号（2020.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全8076字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1838kb） |
| 雑誌掲載位置 | 40〜45ページ目 |
第２部：次世代技術これまでスピンの制御はもっぱら電流で行われてきた。最近になって、スピンを電流と分けて制御する技術が注目され始めた。メモリー技術としてだけでなく、トランジスタやセンシング、さらには通信にまで純粋なスピンが利用され、既存の最先端技術からさらに１／１００〜１／１０００の超省エネルギー化が実現する時代が近づいている。 ＭＲＡＭは、トンネル層を挟んだ２層の磁性層の磁化の向きが平行か反平行か…
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