Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ ＭＲＡＭが拓く異次元コンピューター〜ＳＲＡＭとＤＲＡＭを代替へ ＡＩでは１／１０００の省エネに
日経エレクトロニクス 第1216号 2020.6.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1216号（2020.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 11ページ （全12110字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （3285kb） |
| 雑誌掲載位置 | 28〜38ページ目 |
第１部：実用化動向電子スピンの集団、つまり磁化の向きで情報を記録するＭＲＡＭがいよいよ実用化時期を迎えている。混載用フラッシュメモリー（ｅＦｌａｓｈ）や揮発性のＳＲＡＭ、ＤＲＡＭの代替が当初のターゲットだ。最大のインパクトは、１／１００から１／１０００という異次元の消費電力低減効果。今後のコンピューター、特にＩｏＴ端末やＡＩチップに破壊的変化を起こしそうだ。 次世代不揮発性メモリー技術のＭＲＡＭ（…
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