Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈ 電子デバイス〜ＳｉＣ−ＣＭＯＳや激安ウエハー パワー半導体が多様に進化
日経エレクトロニクス 第1209号 2019.11.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1209号（2019.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全9360字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2674kb） |
| 雑誌掲載位置 | 87〜94ページ目 |
ＳｉＣパワー半導体業界に、産業界と学界の技術者が混じり合い、多様な進化を遂げる姿が見えてきた。市場ではＳｉパワー半導体との競争にさらされているＳｉＣだが、ＳｉＣでＣＭＯＳ半導体を実現する技術や、桁違いの低コスト化をもたらすウエハー製造技術など技術は確実に進んでいる。ＳｉＣ材料に関する国際会議で、参加者の注目を集めた動きを報告する。 次世代パワー半導体素子に使われるＳｉＣ（炭化ケイ素）に関する国際学…
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