Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ メモリー戦国時代、勝つのは誰か〜ＭＲＡＭは大容量化の正念場 ＮＡＮＤの死角狙うＲｅＲＡＭ
日経エレクトロニクス 第1158号 2015.8.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1158号（2015.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全9530字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2132kb） |
| 雑誌掲載位置 | 44〜53ページ目 |
第３部：新メモリー編不揮発性の新型メモリーはそれぞれ普及に向けた壁を乗り越えなければならない。開発メーカーが急増するＳＴＴ−ＭＲＡＭは、ＤＲＡＭ代替を進めるには大容量化という最後の関門がある。ＲｅＲＡＭの最大の課題は市場の立ち上げ。ＮＡＮＤフラッシュメモリーとの直接対決を避ける戦略が成功のカギを握りそうだ。 ＳＴＴ−ＭＲＡＭやＲｅＲＡＭといった新型不揮発性メモリーは、各種のコンピューターシステムを…
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