Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ メモリー戦国時代、勝つのは誰か〜ＤＲＡＭは大容量キャッシュに ＮＡＮＤの高密度化は１０年続く
日経エレクトロニクス 第1158号 2015.8.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1158号（2015.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全8741字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2484kb） |
| 雑誌掲載位置 | 36〜43ページ目 |
第２部：既存メモリー編今後は、ＤＲＡＭやＮＡＮＤフラッシュメモリーの役割も変わっていきそうだ。ＤＲＡＭは、大容量キャッシュと主記憶の２階層に分かれる可能性がある。主記憶をＮＡＮＤフラッシュに担わせる構想も現れた。ＮＡＮＤフラッシュメモリーは当面は大容量化が進むとみられ、ＨＤＤの市場を次第に奪う可能性が高い。ＳＣＭの領域に進出する動きも見えてきた。ＤＲＡＭが２階層に分化キャッシュ専用化の動きも 微細…
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