Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 磁界結合が導く半導体地殻変動〜Ｅｘａ級の高性能機を目指し 半導体・冷却・接続を刷新 （下）
日経エレクトロニクス 第1158号 2015.8.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1158号（2015.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全9859字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1596kb） |
| 雑誌掲載位置 | 69〜76ページ目 |
電力効率の高いスーパーコンピューター、それを支える冷却システムや半導体の設計開発を手掛けるＰＥＺＹグループ齊藤氏の寄稿の後半。独自のＭＩＭＤ型プロセッサーや３次元積層ＤＲＡＭの詳細と、それらが採用する磁界結合インターフェースについて解説する。いずれはプロセッサー間を接続するスイッチを磁界結合技術で超小型化し、人の脳の構造に倣いながら、人の脳を大幅に超える集積度と実行速度の人工知能を実現することを目…
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