特集　パワー半導体４．０〜ＳｉＣがメジャーデビュー　クルマの心臓部に載る
日経エレクトロニクス　第1150号　2014.12.22

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1150号（2014.12.22）
ページ数	6ページ　（全6750字）
形式	PDFファイル形式　（3348kb）
雑誌掲載位置	34〜39ページ目

第１部＜ＳｉＣ動向＞長らくＳｉ一辺倒だったパワー半導体に世代交代の波が押し寄せてきた。その主役はＳｉＣやＧａＮといった次世代パワー半導体だ。ＳｉＣパワー素子は自動車に搭載され、ＧａＮパワー素子は実用化が始まった。　パワー半導体業界に“第４の波”が訪れている。最初の波はＳｉのサイリスタが登場した１９６０年代。サイリスタの登場で「Ｓｉの半導体素子で電力を制御する“パワーエレクトロニクス”という分野が生…