特集 パワー半導体4.0〜GaNパワー素子が離陸 次世代品はSiCの代替を視野
日経エレクトロニクス 第1150号 2014.12.22
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1150号(2014.12.22) |
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ページ数 | 6ページ (全8296字) |
形式 | PDFファイル形式 (1256kb) |
雑誌掲載位置 | 40〜45ページ目 |
第2部<GaN動向>GaNパワー素子がパワコンやオーディオ機器などに採用された。さまざまな電源に適用できる耐圧600V品が量産されている。GaN基板上に高耐圧のGaNパワー素子を作る研究開発も始まった。 SiCパワー素子に続き、GaNパワー素子も機器に採用され始めた。太陽光発電システムのパワーコンディショナー(パワコン)やオーディオ機器である。例えば安川電機は、出力4.5kWの家庭用パワコンに採用…
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