ＮＥレポート〜東芝がＣＭＯＳプロセス互換の トンネル効果型ＦＥＴを開発
日経エレクトロニクス 第1144号 2014.9.29
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1144号（2014.9.29） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2318字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （427kb） |
| 雑誌掲載位置 | 21〜22ページ目 |
東芝は、ＣＭＯＳプロセスで製造でき、ＭＯＳＦＥＴに比べて消費電力を１／１０以下に低減できる新型トランジスタ技術を開発した。マイコン製品に適用し、電池駆動のモバイル機器やウエアラブル端末などに向けて、２０１７年に量産することを狙う。動作電圧を下げリークも減らす 東芝が開発したのは、トンネルＦＥＴ（ＴＦＥＴ）と呼ぶ電界効果型トランジスタの１種（図１）。電子のバンド間トンネル現象を利用してオン／オフさ…
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