ＮＥセレクション パワー半導体〜ＲＡＦ法をガス結晶成長法で高速化 低価格なＳｉＣウエハーの実現へ
日経エレクトロニクス 第1125号 2014.1.6
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1125号（2014.1.6） |
|---|---|
| ページ数 | 5ページ （全5316字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1532kb） |
| 雑誌掲載位置 | 82〜86ページ目 |
パワー半導体最終回デンソーが開発した、結晶のａ面方向に成長を繰り返すことで転位密度を大幅に削減するＲＡＦ法（ｒｅｐｅａｔｅｄ ａ−ｆａｃｅ ｍｅｔｈｏｄ）−−。前回は昇華法による結晶成長技術について紹介した。今回は、処理時間の短縮化が期待できるガス成長法（高温ＣＶＤ）を用いた、新たな大口径ウエハーの量産技術について解説してもらう。（本誌）恩田 正一氏デンソー 基礎研究所 機能材料研究部長 前回（第…
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