ＮＥセレクション パワー半導体〜トレンチ型ＭＯＳＦＥＴが続々 ＳｉＣ基板はアジア企業が台頭
日経エレクトロニクス 第1121号 2013.11.11
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1121号（2013.11.11） |
|---|---|
| ページ数 | 5ページ （全6982字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （905kb） |
| 雑誌掲載位置 | 106〜110ページ目 |
２０１３年９月２９日〜１０月４日まで、宮崎県でＳｉＣ関連の世界最大規模の国際学会「Ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ （ＩＣＳＣＲＭ） ２０１３」が開催された。口頭発表やポスター発表の他、装置メーカーや基板メーカー、パワー素子メーカーの出展ブースも併設され、まさに「ＳｉＣの祭典」の様相を呈してい…
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