ＮＥセレクション パワー半導体〜ＳｉＣやＧａＮの適用で 電力変換装置の体積を大幅削減
日経エレクトロニクス 第1117号 2013.9.16
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1117号（2013.9.16） |
|---|---|
| ページ数 | 5ページ （全6332字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （962kb） |
| 雑誌掲載位置 | 108〜112ページ目 |
パワー半導体に関する技術開発動向や応用事例などについて取り上げる本連載。最近では、電力損失を大幅に削減できる次世代パワー素子を用いた試作例が相次いでいる。今回はＳｉＣパワー素子を適用したＡＣ−ＡＣコンバータやＧａＮパワー素子を適用したパワー・コンディショナを検証した安川電機に、その実現技術と効果などについて解説してもらう。（本誌）樋口 雅人安川電機 技術開発本部 開発研究所エネルギー変換技術グルー…
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