ＮＥセレクション パワー半導体〜電力インフラを目指すＳｉＣ バイポーラ素子で耐圧１０ｋＶ超
日経エレクトロニクス 第1111号 2013.6.24
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1111号（2013.6.24） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全8833字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （764kb） |
| 雑誌掲載位置 | 88〜93ページ目 |
第１回から第３回にかけて、ＳｉＣやＧａＮといった次世代パワー半導体の研究開発動向について解説してきた。今回は、耐圧１０ｋＶを超えるような超高耐圧のＳｉＣパワー素子を取り上げる。ＰｉＮダイオードの他、サイリスタやＩＧＢＴなどのスイッチング素子の研究開発も進んでいる。解説するのは京都大学の須田淳氏である。（本誌）須田 淳京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻准教授 送電設備や配電設備などの電力インフ…
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