ＮＥレポート〜ＳｉやＳｉＣが様々な色で発光 「ドレスト光子」で実現
日経エレクトロニクス 第1106号 2013.4.15
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1106号（2013.4.15） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2068字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （628kb） |
| 雑誌掲載位置 | 12〜13ページ目 |
「開発当初は信じてもらえなかった」─。東京大学 大学院 工学系研究科 教授で、ナノフォトニクス研究センター センター長の大津元一氏の研究グループは、２年前の２０１１年にＳｉを高い効率で発光させたのに続いて、ＳｉＣやＧａＰを発光させることに成功した（図１）。これらの半導体はいずれも間接遷移型のバンド構造を持つ。つまり、伝導帯の電子が価電子帯に遷移しようとしても、一般には運動量保存が成立しないため、…
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