ＮＥセレクション　パワー半導体〜Ｓｉを超えるＳｉＣとＧａＮの性能、なぜパワー素子に向いているのか
日経エレクトロニクス　第1103号　2013.3.4

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1103号（2013.3.4）
ページ数	6ページ　（全7735字）
形式	PDFファイル形式　（894kb）
雑誌掲載位置	90〜95ページ目

省エネの切り札としてパワー半導体に注目が集まっており、研究開発が活発になっている。本連載では、パワー半導体素子の研究開発動向をはじめ、同素子に欠かせない材料や応用技術などについて紹介していく。連載１回目の今回は、現行のＳｉに続く次世代のパワー半導体材料として研究開発が進むＳｉＣとＧａＮについて、両材料に詳しい研究者に解説してもらう。（本誌）須田　淳　氏京都大学大学院　工学研究科　電子工学専攻准教授…