ＮＥレポート〜ＩＧＢＴの電流密度を２倍に新たな微細化構造で挑む
日経エレクトロニクス 第1102号 2013.2.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1102号（2013.2.18） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2186字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （640kb） |
| 雑誌掲載位置 | 16〜17ページ目 |
Ｓｉパワー素子は、安価なものの、性能面での伸びしろが以前よりも小さくなっている。中でも耐圧６００Ｖ以上で利用されるＩＧＢＴの性能改善や量産性の向上について、限界がささやかれ始めている注１）。性能面で頭打ちとなりつつあるのが、オン抵抗の低減や電流密度の向上などである。量産性については、口径で８インチを超えるＳｉ基板の利用が難しい。 そこで、オン抵抗の低減や電流密度の向上を実現できるＳｉＣやＧａＮを…
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