解説１〜ＳｉＣやＧａＮが身近に いざ応用技術の確立へ
日経エレクトロニクス 第1099号 2013.1.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1099号（2013.1.7） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全8725字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1641kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53〜60ページ目 |
白物家電をはじめ、鉄道車両や産業機器の電力変換器に、次世代材料を用いたパワー半導体を採用する機運が高まっている。現在はＳｉＣダイオードだけだが、今後はＳｉＣトランジスタやＧａＮトランジスタの採用も始まる。そのポテンシャルを生かすには、応用技術の確立が欠かせなくなる。 ＳｉＣやＧａＮといった次世代パワー半導体を電力変換器に採用する事例が急増している（前ページの図１）。特に、採用が活発化しているのがＳ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「8ページ（全8725字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
特集 宇宙民営化元年〜月探査 民間での月到着一番乗りを 競うコンテストが開催
特集 宇宙民営化元年〜小惑星探査 一過性のブームではなく 継続的な取り組みが必要
解説２〜先端半導体の開発で アジアの躍進が鮮明に
インタビュー〜ＭｉｒｒｏｒＬｉｎｋは今後も拡張 スマホ標準を狙う
ドキュメンタリー 脳波コミュニケーション・ツール「ｎｅｃｏｍｉｍｉ」の開発（第１回）〜第１回 さっぱり売れない
