ＮＥレポート〜１０ｎｍまでのＳｏＣ微細化にメド ３次元トランジスタを不要に
日経エレクトロニクス 第1097号 2012.12.10
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1097号（2012.12.10） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2449字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （417kb） |
| 雑誌掲載位置 | 8〜9ページ目 |
スマートフォンやタブレット端末などのモバイル機器の心臓部を担うＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）。その低コスト化と高性能化を担う微細化技術に新たな選択肢が加わった。ここにきて伊仏ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（ＳＴ）社が２８ｎｍ世代のＳｏＣ向けに量産化した、完全空乏型ＳＯＩ（ｆｕｌｌｙ ｄｅｐｌｅｔｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：ＦＤＳＯＩ）技術だ。 ＦＤＳＯＩ技術…
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