ＮＥレポート〜ＤＲＡＭ代替メモリの本命候補 スピン注入ＭＲＡＭが実用へ
日経エレクトロニクス 第1097号 2012.12.10
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1097号（2012.12.10） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2674字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （457kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜15ページ目 |
世界中で激しい開発競争が繰り広げられている新型不揮発性メモリが、実用段階を迎えた。２０１２年１１月、米Ｅｖｅｒｓｐｉｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社がスピン注入磁化反転（ｓｐｉｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｔｏｒｑｕｅ：ＳＴＴ）方式のＭＲＡＭ（磁気メモリ）のサンプル出荷を始めた。 ＳＴＴ方式のＭＲＡＭはＤＲＡＭ代替メモリの呼び声が高い、期待の新メモリ。今回、Ｅｖｅｒｓｐｉｎ社は「ＳＴ−ＭＲＡＭ（Ｓｐｉｎ−…
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