ＮＥレポート〜酸化ガリウムのパワー半導体 ＳｉＣよりも高耐圧・低損失に
日経エレクトロニクス 第1075号 2012.2.6
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1075号（2012.2.6） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2426字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （439kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜15ページ目 |
ＥＦＧ法で作製した、２インチ角のβ型Ｇａ２Ｏ３基板（写真：ＮＩＣＴら） 「実に興味深い材料だ」（パワー半導体素子に詳しい研究者）─。 次世代のパワー半導体材料として開発が進むＳｉＣ（シリコン・カーバイド）とＧａＮ（窒化ガリウム）よりも、高耐圧で低損失なパワー半導体素子（以下、パワー素子）を安価に作製できる可能性があるとして、酸化ガリウムの一つであるβ型Ｇａ２Ｏ３に注目が集まっている。 きっかけとな…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2426字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＮＥレポート〜米著作権保護法案に Ｇｏｏｇｌｅらが一斉反発
ＮＥレポート〜注目集めるＴＳＶ技術 Ｗｉｄｅ Ｉ／Ｏ ＤＲＡＭが起爆剤に
ＮＥレポート〜スマートメーターの通信互換性 日米８社が認定団体を結成
ＮＥレポート〜４．６Ｔビット／秒の光通信技術 ＮＥＣが１万ｋｍ超の伝送を確認
ワールド・レポート ｆｒｏｍ 韓国〜医療産業都市を目指すテグ市 研究拠点から医療観光まで
