ＮＥレポート〜注目集めるＴＳＶ技術 Ｗｉｄｅ Ｉ／Ｏ ＤＲＡＭが起爆剤に
日経エレクトロニクス 第1075号 2012.2.6
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1075号（2012.2.6） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2023字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （642kb） |
| 雑誌掲載位置 | 12〜13ページ目 |
チップを３次元接続した３００ｍｍウエハー（富士通研究所） ２０１２年１月に開催された「ネプコン ジャパン ２０１２」では、ＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビア）を用いた３次元実装技術の展示や講演に注目が集まった（図１）。ＴＳＶは半導体チップを貫通する電極であり、ＴＳＶを備えたチップ同士を積層接続することで、システムの低消費電力化や高速化を実現できる。ＴＳＶはこれまで一部のＣＭＯＳイメージ・センサなどで実用化されて…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2023字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＮＥレポート〜Ａｐｐｌｅが取引先の一覧を公表 米台日の企業が多くを占める
ＮＥレポート〜米著作権保護法案に Ｇｏｏｇｌｅらが一斉反発
ＮＥレポート〜酸化ガリウムのパワー半導体 ＳｉＣよりも高耐圧・低損失に
ＮＥレポート〜スマートメーターの通信互換性 日米８社が認定団体を結成
ＮＥレポート〜４．６Ｔビット／秒の光通信技術 ＮＥＣが１万ｋｍ超の伝送を確認
