ＮＥレポート〜面積１／１０で速度は１５倍 ＴＳＶ技術の新メモリが量産へ
日経エレクトロニクス 第1072号 2011.12.26
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1072号（2011.12.26） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1196字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （284kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14ページ目 |
ＩＢＭ社が試作したＴＳＶを組み込んだチップ パソコンや携帯機器、サーバー機など、多くの電子機器の主記憶として幅広く使われるＤＲＡＭ。この主記憶用ＤＲＡＭの高速化、低消費電力化、小型化がグンと進む方向が見えてきた。米Ｍｉｃｒｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社が、３次元方向に積層した複数のＤＲＡＭチップ間などをＳｉ貫通ビア（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ：ＴＳＶ）で接続した新たなメモリ「Ｈｙｂｒｉｄ…
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