ＮＥレポート〜三菱電機の新型ＳｉＣモジュール 過電流保護で実用化に前進
日経エレクトロニクス 第1051号 2011.3.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1051号（2011.3.7） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1084字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （305kb） |
| 雑誌掲載位置 | 17ページ目 |
ＩＧＢＴなどのＳｉ製パワー半導体素子（以下，パワー素子）と比べて，インバータなどの電力変換器の高効率化や小型化が可能になるとして注目を集めるＳｉＣ製パワー素子。これまで利用が限られたショットキー・バリア・ダイオード（ＳＢＤ）はエアコンに採用されるなど，いよいよ普及する兆しが出てきた。一方，トランジスタでは，切望されたＭＯＳＦＥＴの製品化が２０１０年末からついに始まった。両素子がそろったことで，パ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全1084字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＮＥレポート〜ソニーが超高速ＲｅＲＡＭを開発 ＮＡＮＤフラッシュ代替を狙う
ＮＥレポート〜アモルファスＳｉより速い有機ＦＥＴ 大阪大学が印刷技術で開発
ワールド・レポート ｆｒｏｍ 米国〜“カウボーイ”にＥＶは売れるのか リーフの試乗会に潜入
クローズアップ 家電〜パソコン・メーカーの春商戦を直撃した
クローズアップ 半導体〜４社のみが５０億米ドル超の設備投資
