NEレポート〜アモルファスSiより速い有機FET 大阪大学が印刷技術で開発
日経エレクトロニクス 第1051号 2011.3.7
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1051号(2011.3.7) |
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ページ数 | 1ページ (全1004字) |
形式 | PDFファイル形式 (336kb) |
雑誌掲載位置 | 16ページ目 |
スタンプ印刷技術で作製した有機トランジスタ・アレイ 大阪大学 産業科学研究所 教授の竹谷純一氏の研究グループは,キャリア移動度が5〜12cm2/Vsの有機半導体トランジスタ(OFET)を,パターニング可能な塗布プロセスで作製した。キャリア移動度は,ディスプレイの画素TFTで広く使われるアモルファスSiを凌駕するほど高い。高性能な画素TFTなどを,印刷技術で簡便かつ低コストで作製可能になるという。 …
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